Differbetween
A implantação e difusão de íons são duas técnicas utilizadas na produção de semicondutores com alguns outros materiais. A principal diferença entre implantação e difusão de íons é que a implantação de íons é isotrópica e muito direcional, enquanto a difusão é isotrópica e há difusão lateral.
- Por que a implantação de íons é preferível à difusão?
- O que se entende por implantação de íons?
- Qual é a vantagem de usar o processo de implantação de íons?
- Por que o recozimento é necessário após a implantação de íons?
- O que é implantação de íons em semicondutores?
- O que é o recozimento na implantação de íons?
- O que é canalização de íons?
- O que é endurecimento por chama e implantação de íons?
- O que a fonte de íons contém?
Por que a implantação de íons é preferível à difusão?
Vimos como os dopantes foram introduzidos em um wafer usando difusão ('pré-deposição' e 'drive-in'). A implantação de íons é preferida porque: - dose controlada, baixa ou alta pode ser introduzida (1011 - 1018 cm-2) - profundidade do implante pode ser controlada. Usado desde 1980, apesar dos danos ao substrato; baixo rendimento e custo.
O que se entende por implantação de íons?
A implantação de íons é um processo de tratamento de superfície no qual íons de nitrogênio ou carbono são acelerados e feitos para penetrar na superfície de um componente para conferir resistência ao desgaste. ... Usando esta abordagem, um feixe de íons de alta energia (50 a 200keV) pode ser direcionado para a superfície do componente.
Qual é a vantagem de usar o processo de implantação de íons?
As vantagens da implantação de íons incluem a capacidade de implantar virtualmente qualquer espécie de íon em qualquer substrato com um alto nível de controle de localização (lateral e profundidade) e composição.
...
Introdução.
| Vantagens | Limitações |
|---|---|
| Altamente controlável e repetível | Processo de linha de visão |
Por que o recozimento é necessário após a implantação de íons?
Durante a implantação, os dopantes implantados são bombardeados para o silício e esse processo produz defeitos pontuais na rede. ... A condição de recozimento tem um grande efeito nas células solares implantadas com íons porque controlam a ativação e o perfil de difusão dos dopantes implantados com íons.
O que é implantação de íons em semicondutores?
A implantação de íons é um processo de baixa temperatura pelo qual os íons de um elemento são acelerados em um alvo sólido, alterando assim as propriedades físicas, químicas ou elétricas do alvo. A implantação de íons é usada na fabricação de dispositivos semicondutores e no acabamento de metais, bem como na pesquisa da ciência dos materiais.
O que é o recozimento na implantação de íons?
Recozimento de danos em implantes de íons. Recozimento de danos por implantação de íons. Implantação de íons é o processo de depositar dopantes químicos em um substrato, bombardeando diretamente o substrato com íons de alta energia do produto químico sendo depositado.
O que é canalização de íons?
A influência da estrutura do cristal nas trajetórias dos íons que penetram no cristal é conhecida como canalização - um termo que visualiza as linhas e planos atômicos como guias que orientam os íons energéticos ao longo dos canais entre linhas e planos.
O que é endurecimento por chama e implantação de íons?
O endurecimento por indução envolve o uso de correntes elétricas induzidas para gerar calor rapidamente por meio de histerese, geralmente em uma peça feita de aço de médio a alto carbono. O endurecimento por chama usa queimadores de oxi-combustível para aquecer a peça de trabalho por meio de condução.
O que a fonte de íons contém?
Uma fonte de íons é um dispositivo que cria íons atômicos e moleculares. As fontes de íons são usadas para formar íons para espectrômetros de massa, espectrômetros de emissão óptica, aceleradores de partículas, implantadores de íons e motores de íons.
